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V GS = -2.5V
I D = -5A
DMP2035U
1.0
V GS = -4.5V
I D = -10A
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V GS = -2.5V
I D = -5A
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V GS = -4.5V
I D = -10A
-50
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125 150
-50
-25
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125 150
1.2
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
I D = -1m      A
I D = -250μA
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
8
T A = 150°C
0.4
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T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
-50 -25
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125 150
0
0.3
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0.9
1.2
1.5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
C iss
1,000
T A = 125°C
1,000
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
C oss
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C rss
1
T A = -55°C
0
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2
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-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
DMP2035U
Document number: DS31830 Rev. 4 - 2
4 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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